6月20日上午，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區開工。
長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。
在開工儀式上，紫光集團兼長江存儲公司董事長趙偉國介紹，一期主要實現技術突破，并建成10萬片/月產能；二期規劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片。
此前，項目一期已于2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現穩定量產；今年4月成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
據公司官網介紹，作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
2014年，國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，同年9月國家大基金一期成立；2019年10月，規模超過2000億的國家大基金二期也正式成立。
據中國證券報，從投向上看，國家大基金一期偏重于對資金需求度更高的制造環節，并且重點投向了國內龍頭企業，例如對中芯國際的承諾投資便達到了約215億元，長江存儲達到190億元，華力微電子約116億元。在存儲領域，國家大基金一期重點投資了IDM模式（設計-制造-封裝測試-銷售為一體）的長江存儲。
關于大基金二期投資方向時，分析認為，制造依然是大基金投資的重點。
上海證券報則在今年3月援引業內人士觀點，雖然前期大基金已經投資了中芯國際、華力微電子、長江存儲等，但鑒于集成電路制造的重要性、投資重大，大基金還要持續給予這些公司以及更多的相關公司支持。
華芯基金管理公司（國家集成電路二期基金）副總裁任凱今年3月也表示，二期基金積極支持湖北產業發展，已推動兩個重大項目在湖北落地，分別是總投資規模800億元左右的長江存儲，以及總投資規模120億元的三安光電。